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IXFH 24N80P IXFK 24N80P
IXFT 24N80P
40
36
32
28
Fig. 7. Input Admittance
65
60
55
50
45
Fig. 8. Transconductance
24
40
35
T J = - 40oC
25oC
20
16
12
8
T J = 125oC
25oC
- 40oC
30
25
20
15
125oC
10
4
0
5
0
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
36
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
32
28
24
9
8
7
V DS = 400V
I D = 12A
I G = 10mA
6
20
5
16
T J = 125oC
4
12
8
4
0
T J = 25oC
3
2
1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
10,000
1,000
100
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
C oss
1.00
0.10
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Resistance
10
f = 1 MHz
C rss
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
F_24N80P (8J) 6-22-06.xls
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